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FMUSER Original New Transistor MOSFET di potenza transistor BLF578 RF

FMUSER Nuovo originale BLF578 Transistor di potenza RF Transistor MOSFET di potenza Caratteristiche Facile controllo della potenza Protezione ESD integrata Eccellente robustezza Alta efficienza Eccellente stabilità termica Progettato per il funzionamento a banda larga (da 10 MHz a 500 MHz) Conforme alla Direttiva 2002/95 / CE, relativa alla specifica sulla restrizione delle sostanze pericolose Gamma di frequenza: 10 ~ 500 mhz Potenza di uscita nominale: 1000 W Guadagno di potenza (VDS = 50 V; PL = 1000 W): 26 dB Efficienza di drenaggio (VDS = 50 V; f = 108 MHz; IDq = 40 mA; PL = 1000 W) : 75% di informazioni sul blocco

Dettagli

Prezzo (USD) Qty (PCS) Spedizione (USD) Totale (USD) metodo di spedizione Pagamento
245 1 35 280 DHL

 



FMUSER Original New Transistor MOSFET di potenza transistor BLF578 RF



Caratteristiche


Controllo di potenza Facile
Protezione integrata ESD
Eccellente robustezza
Alta efficienza
Eccellente stabilità termica
Progettato per il funzionamento a banda larga (10 MHz a 500 MHz)
Conforme alla direttiva 2002 / 95 / CE, in materia di limitazione delle sostanze pericolose




Specificazione

Gamma di frequenza: 10 ~ 500mhz

Potenza di uscita Nom: 1000W

Guadagno di potenza (VDS = 50 V; PL = 1000 W): 26 dB

Efficienza di drenaggio (VDS = 50 V; f = 108 MHz; IDq = 40 mA; PL = 1000 W): 75%



Informazioni Pinning




 

 

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