FMUSER Nuovo originale MRF6VP11KH Transistor di potenza RF MOSFET di potenza Transistor-RF Transistor-FMUSER Trasmissione FM / TV Fornitore unico

FMUSER Nuovo originale MRF6VP11KH Transistor di potenza RF Transistor MOSFET di potenza FMUSER MRF6VP11KHR6 è progettato principalmente per applicazioni pulsate a banda larga con frequenze fino a 150 MHz. Il dispositivo non ha eguali ed è adatto per l'uso in applicazioni industriali, mediche e scientifiche. Caratteristiche Prestazioni pulsate tipiche a 130 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt di picco (200 W medi), durata dell'impulso = 100 µsec, ciclo di lavoro = 20% Guadagno di potenza: 26 dB Efficienza di drenaggio: 71 % In grado di gestire VSWR 10: 1, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watt di potenza di picco caratterizzati da parametri di impedenza per grandi segnali equivalenti in serie Capacità di funzionamento in CW con raffreddamento adeguato Qualificato fino a un massimo di 50 VDD Funzionamento Protezione ESD integrata

Dettagli

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FMUSER Nuovo originale MRF6VP11KH Transistor di potenza RF Transistor MOSFET di potenza

FMUSER MRF6VP11KHR6 è progettato principalmente per applicazioni pulsate a banda larga con frequenze fino a 150 MHz. Il dispositivo non ha eguali ed è adatto per l'uso in applicazioni industriali, mediche e scientifiche.

Caratteristiche

Prestazioni pulsate tipiche a 130 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt di picco (200 W medi), durata dell'impulso = 100 µsec, ciclo di lavoro = 20%
Guadagno di potenza: 26 dB
Scolare Efficienza:% 71
In grado di gestire 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts Peak Power
Caratterizzato con parametri di impedenza di segnale grande serie equivalenti
Funzionalità di funzionamento in CW con raffreddamento adeguato
Qualificato fino a un massimo di 50 VDD Operation
Integrato di protezione ESD
Progettato per il funzionamento Push-Pull
Gamma di tensione di gate negativa maggiore-sorgente per un miglior funzionamento della classe C.
A norma RoHS
In nastro e bobina. Suffisso R6 = 150 unità per bobina da 56 mm, 13 pollici

Specificazione

Transistor Type: LDMOS
Tecnologia: Si
Settore applicativo: ISM, Broadcast
Applicazione: scientifica, medica
CW / Pulse: CW
Frequenza: da 1.8 a 150 MHz
Potenza: 53.01 dBm
Potenza (W): 199.99 W.
P1dB: 60.57dBm
Potenza di uscita di picco: 1000 W.
Larghezza pulsata: 100 us
Duty_Cycle: 0.2
Guadagno di potenza (Gp): da 24 a 26 dB
Ritorno in ingresso: Perdita: da -16 a -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polarità: canale N
Tensione di alimentazione: 50 V.
Tensione di soglia: da 1 a 3 Vdc
Tensione di rottura - Sorgente di drenaggio: 110 V.
Tensione - Gate-Source: (Vgs): - da 6 a 10 Vdc
Efficienza di scarico: 0.71
Corrente di drenaggio: 150 mA
Impedenza Z: 50 Ohm
Resistenza termica: 0.03 ° C / W
Pacchetto: Tipo: Flangia
Confezione: CASE375D - 05 STYLE 1 NI - 1230--4
RoHS: Sì
Temperatura di funzionamento: 150 gradi C.
Temperatura di conservazione: da -65 a 150 gradi C.