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MRFE6VP5300N TRANSISTORE MOSFET DI POTENZA RF
MRFE6VP5300N TRANSISTORE MOSFET DI POTENZA RF Descrizione Questi dispositivi ad alta robustezza, MRFE6VP5300NR1 e MRFE6VP5300GNR1, sono progettati per l'uso in applicazioni industriali ad alto VSWR (inclusi eccitatori laser e plasma), broadcast (analogico e digitale), aerospaziale e radio / applicazioni mobili terrestri. Sono impareggiabili design di ingresso e uscita che consentono l'utilizzo di un'ampia gamma di frequenze, tra 1.8 e 600 MHz. Caratteristiche ● Ampia gamma di frequenze operative ● Estrema robustezza ● Ingresso e uscita impareggiabili che consentono l'utilizzo di un'ampia gamma di frequenze ● Miglioramenti della stabilità integrati ● Bassa resistenza termica ● Circuito di protezione ESD integrato ● Conformità RoHS ● In nastro e bobina. Suffisso R1 = 500 unità, larghezza nastro 44 mm, bobina da 13 pollici. Parametri chiave
Dettagli
Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
135 | 1 | 0 | 135 | DHL |
MRFE6VP5300N TRANSISTORE MOSFET DI POTENZA RF
Descrizione
Questi dispositivi ad alta robustezza, MRFE6VP5300NR1 e MRFE6VP5300GNR1, sono progettati per l'uso in applicazioni industriali ad alto VSWR (inclusi eccitatori laser e plasma), broadcast (analogico e digitale), aerospaziale e radio / terrestre. Sono impareggiabili design di ingresso e uscita che consentono l'utilizzo di un'ampia gamma di frequenze, tra 1.8 e 600 MHz.Caratteristiche
●Ampia gamma di frequenze operative
●Robustezza estrema
●Ingresso e uscita ineguagliati che consentono l'utilizzo di un'ampia gamma di frequenze
●Miglioramenti integrati della stabilità
●Bassa resistenza termica
●Circuito di protezione ESD integrato
●A norma RoHS
●In Tape and Reel. Suffisso R1 = Unità 500, larghezza nastro 44 mm, bobina 13-pollici.
Parametri chiave
●Frequenza (Min) 1.8 (MHz)
●Frequenza (Max) 600 (MHz)
●Tensione di alimentazione (tipica) 50 (V)
●P1dB (tipico) 54.8 (dBm)
●P1dB (tipico) 300 (W)
●Potenza di uscita (tipica) (W) a livello di intermodulazione al segnale di prova 300.0 a CW
●Segnale di prova CW
●Guadagno di potenza (tipico) 25.0 a 230 (dB) a f (MHz)
●Efficienza (tipica) 70 (%)
●Resistenza termica (Spec) 0.22 (℃ / W)
Il pacchetto include
1x MRFE6VP5300N RF Transistor
Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
135 | 1 | 0 | 135 | DHL |