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MRFX1K80H: 1800 W CW su 1.8-400 MHz, transistor LDMOS di potenza RF a banda larga 65 V
MRFX1K80H: 1800 W CW su 1.8-400 MHz, 65 V a banda larga RF Transistor LDMOS Descrizione MRFX1K80H è il primo dispositivo basato sulla nuova tecnologia LDMOS a 65 V che si concentra sulla facilità d'uso. Questo transistor ad alta robustezza è progettato per l'uso in applicazioni industriali, scientifiche e mediche ad alto VSWR, nonché trasmissioni radio e TV VHF, applicazioni aerospaziali sub-GHz e radio mobili. Il suo impareggiabile design di ingresso e uscita consente un ampio intervallo di frequenza da 1.8 a 400 MHz. MRFX1K80H è compatibile con i pin (stesso PCB) con la sua versione in plastica MRFX1K80N, con MRFE6VP61K25H e MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V) e con MRF1K50H e MRF1K50N (1500 W a 50 V). Caratteristica
Dettagli
Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
245 | 1 | 0 | 245 | DHL |
MRFX1K80H: 1800 W CW su 1.8-400 MHz, transistor LDMOS di potenza RF a banda larga 65 V
Descrizione
MRFX1K80H è il primo dispositivo basato sulla nuova tecnologia LDMOS a 65 V che si concentra sulla facilità d'uso. Questo transistor ad alta robustezza è progettato per l'uso in alta VSWR applicazioni industriali, scientifiche e mediche, nonché radio e TV VHF trasmissioni, applicazioni aerospaziali sub-GHz e radio mobili. Il suo input impareggiabile e il design dell'uscita consente un ampio intervallo di frequenza da 1.8 a 400 MHz.MRFX1K80H è compatibile con i pin (stesso PCB) con la sua versione in plastica MRFX1K80N, con MRFE6VP61K25H e MRFE6VP61K25N (1250 W a 50 V) e con MRF1K50H e MRF1K50N (1500 W @ 50 V).
Caratteristiche
●Basato sulla nuova tecnologia LDMOS da 65 V, progettato per un facile utilizzo
●Caratterizzato da 30 a 65 V per la gamma di potenza estesa
●Input e output impareggiabili
●Elevata tensione di rottura per una maggiore affidabilità e architetture ad alta efficienza
●Elevata capacità di assorbimento dell'energia da valanga da fonte di drenaggio
●Elevata robustezza. Gestisce VSWR 65: 1.
●A norma RoHS
●Opzione di resistenza termica inferiore nella confezione in plastica sovrastampata: MRFX1K80N
Applicazioni
● Industriale, scientifico, medico (ISM)● Generazione laser
● Generazione di plasma
● Acceleratori di particelle
● MRI, ablazione a radiofrequenza e trattamento della pelle
● Impianti industriali di riscaldamento, saldatura e asciugatura
● Trasmissione radio e TV VHF
● Aerospaziale
● Comunicazioni HF
● Radar
Il pacchetto include
1xMRFX1K80H Transistor LDMOS di potenza RF
Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
245 | 1 | 0 | 245 | DHL |