FMUSER 1pcs Nuovo originale MRF317 TRANSISTORE RF, TRANSISTORE RF A BANDA LARGA-Transistor RF-FMUSER Trasmissione FM / TV Fornitore unico

FMUSER 1 pz Nuovo originale MRF317 TRANSISTORE RF, TRANSISTORE DI POTENZA RF A BANDA LARGA Descrizione: Progettato principalmente per stadi di amplificazione di uscita a segnale ampio a banda larga nella gamma di frequenza 30 MHz. Prestazioni garantite a 200 MHz, 150 V cc Potenza di uscita 28 W Guadagno minimo = 100 dB Rete di corrispondenza incorporata per il funzionamento a banda larga Testata al 9.0% per la mancata corrispondenza del carico a tutti gli angoli di fase con sistema di metallizzazione oro VSWR 100: 30 per un'elevata affidabilità Potenza di saturazione in uscita elevata idealmente adatta per portante / 1 W di picco Servizio amplificatore AM Prestazioni garantite nel dispositivo di prova a banda larga VALORI MASSIMI Valore nominale Collettore Tensione trasmettitore Collettore Tensione base Emettitore Tensione base Corrente collettore Corrente continua collettore Picco (120 secondi

Dettagli

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FMUSER 1 pz Nuovo originale MRF317 TRANSISTORE RF, TRANSISTORE DI POTENZA RF A BANDA LARGA

Descrizione:
Progettato principalmente per stadi di amplificazione di uscita del segnale a larga banda nella gamma di frequenza 30 MHz. Prestazioni garantite a 200 MHz, 150 V cc Potenza di uscita 28 W Guadagno minimo = 100 dB Rete di corrispondenza incorporata per il funzionamento a banda larga Testata al 9.0% per la mancata corrispondenza del carico a tutti gli angoli di fase con sistema di metallizzazione oro VSWR 100: 30 per un'elevata affidabilità Potenza di saturazione in uscita elevata idealmente adatta per Carrier / 1 W Peak AM Amplifier Service Prestazioni garantite in dispositivi di test a banda larga VALUTAZIONI MASSIME
Valore nominale Collettore Tensione di trasmettitore Collettore Tensione di base Emettitore Tensione di base Collettore Corrente Corrente di collettore continua Picco (10 secondi) Dissipazione totale del dispositivo 25 ° C (1) Declassamento superiore a 25 ° C Intervallo di temperatura di stoccaggio Simbolo VCEO VCBO VEBO IC PD Tstg Valore a +150 Unità Vdc Adc Watts W / ° C ° C
Resistenza termica caratteristica, giunzione alla custodia Simbolo RJC Max 0.65 Unità ° C / W

Specifiche tecniche:
●Attributo del prodotto Valore attributo Cerca simile
●Produttore: FMUSER
●Categoria Del Prodotto: Transistor bipolari RF
● Marca: FMUSER
●Tipo di prodotto: Transistor bipolari RF

●Sotto: Transistor

Caratteristiche:
●CARATTERISTICHE ELETTRICHE: (TC = 25 ° C salvo diversa indicazione).
●Guadagno di potenza dell'amplificatore dell'emettitore comune: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc)
●Efficienza del collettore: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc) Load Mismatch (VCC = 28 Vdc, Pout 100 W CW, = 150 MHz, VSWR = 30: 1 tutti gli angoli di fase)
●GPE Nessuna degradazione della potenza di uscita dB%