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FMUSER Nuovo transistor SD2931-11 RF Transistor di potenza ad alta potenza con transistor MOSFET 20V

FMUSER nuovo originale transistor di potenza RF SD2931-11 transistor MOSFET ad alto guadagno da 20V Descrizione: SD2931-11 è un transistor di potenza RF ad effetto di campo MOS a canale N metallizzato oro. Essendo elettricamente identico al MOSFET SD2931 standard, è destinato all'uso in applicazioni con segnali di grandi dimensioni a 50 V cc fino a 230 MHz. L'SD2931-11 è compatibile meccanicamente con l'SD2931 ma offre in aggiunta una migliore capacità termica (resistenza termica inferiore del 25%), rappresentando i transistor migliori della categoria per le applicazioni ISM, dove l'affidabilità e la robustezza sono fattori critici. Caratteristiche: * Metallizzazione dell'oro * Eccellente stabilità termica * Fonte comune

Dettagli

Prezzo (USD) Qty (PCS) Spedizione (USD) Totale (USD) metodo di spedizione Pagamento
108 1 35 143 DHL

 


FMUSER Nuovo transistor SD2931-11 RF Transistor di potenza ad alta potenza con transistor MOSFET 20V





Descrizione:
SD2931-11 è un canale N metallizzato oro Transistor di potenza RF ad effetto di campo MOS. Essere elettricamente identico allo standard SD2931 MOSFET, è destinato all'uso in 50 V cc di grandi dimensioni applicazioni di segnale fino a 230 MHz. SD2931-11 è meccanicamente compatibile con SD2931 ma offre inoltre una migliore termica capacità (25% resistenza termica inferiore), che rappresentano i migliori transistor della classe ISM applicazioni, dove affidabilità e robustezza sono fattori critici.



Caratteristiche:
* Metallizzazione dell'oro
Eccellente stabilità termica
Configurazione sorgente comune
PUNTO = 150 W min. con guadagno 14 dB @ 175MHz
Imballaggio termicamente migliorato per i più bassi
temperature di giunzione
Ordinamento GFS e VGS contrassegnato sull'unità



Speciafication:

Serie: SD2931  
Categoria di prodotto: Transistor MOSFET RF 
Polarità del transistor: canale N 
Tecnologia: Si 
Id - Corrente di drenaggio continua: 20 A 
Vds - Tensione di interruzione drain-source: 125 V 
Guadagno: 15 dB 
Potenza in uscita: 150 W 
Temperatura minima di funzionamento: - 65 C 
Temperatura operativa massima: + 200 C 
Stile di montaggio: montaggio a vite 
Confezione: Bulk 
Configurazione: singola doppia sorgente  
Altezza: 7.11 mm (massimo)  
Lunghezza: 24.89 mm (massimo)  
Frequenza operativa: 230 MHz  
Larghezza: 12.83 mm (massimo)  
Modalità canale: miglioramento  
Pd - Dissipazione di potenza: 389 W  
Vgs - Tensione gate-source: 20 V

 

 

Prezzo (USD) Qty (PCS) Spedizione (USD) Totale (USD) metodo di spedizione Pagamento
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