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FMUSER Nuovo transistor SD2931-11 RF Transistor di potenza ad alta potenza con transistor MOSFET 20V
FMUSER nuovo originale transistor di potenza RF SD2931-11 transistor MOSFET ad alto guadagno da 20V Descrizione: SD2931-11 è un transistor di potenza RF ad effetto di campo MOS a canale N metallizzato oro. Essendo elettricamente identico al MOSFET SD2931 standard, è destinato all'uso in applicazioni con segnali di grandi dimensioni a 50 V cc fino a 230 MHz. L'SD2931-11 è compatibile meccanicamente con l'SD2931 ma offre in aggiunta una migliore capacità termica (resistenza termica inferiore del 25%), rappresentando i transistor migliori della categoria per le applicazioni ISM, dove l'affidabilità e la robustezza sono fattori critici. Caratteristiche: * Metallizzazione dell'oro * Eccellente stabilità termica * Fonte comune
Dettagli
Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
108 | 1 | 35 | 143 | DHL |
FMUSER Nuovo transistor SD2931-11 RF Transistor di potenza ad alta potenza con transistor MOSFET 20V
Descrizione:
SD2931-11 è un canale N metallizzato oro Transistor di potenza RF ad effetto di campo MOS. Essere elettricamente identico allo standard SD2931 MOSFET, è destinato all'uso in 50 V cc di grandi dimensioni applicazioni di segnale fino a 230 MHz. SD2931-11 è meccanicamente compatibile con SD2931 ma offre inoltre una migliore termica capacità (25% resistenza termica inferiore), che rappresentano i migliori transistor della classe ISM applicazioni, dove affidabilità e robustezza sono fattori critici.
Caratteristiche:
* Metallizzazione dell'oro
* Eccellente stabilità termica
* Configurazione sorgente comune
* PUNTO = 150 W min. con guadagno 14 dB @ 175MHz
* Imballaggio termicamente migliorato per i più bassi
* temperature di giunzione
* Ordinamento GFS e VGS contrassegnato sull'unità
Speciafication:
* Serie: SD2931* Categoria di prodotto: Transistor MOSFET RF
* Polarità del transistor: canale N
* Tecnologia: Si
* Id - Corrente di drenaggio continua: 20 A
* Vds - Tensione di interruzione drain-source: 125 V
* Guadagno: 15 dB
* Potenza in uscita: 150 W
* Temperatura minima di funzionamento: - 65 C
* Temperatura operativa massima: + 200 C
* Stile di montaggio: montaggio a vite
* Confezione: Bulk
* Configurazione: singola doppia sorgente
* Altezza: 7.11 mm (massimo)
* Lunghezza: 24.89 mm (massimo)
* Frequenza operativa: 230 MHz
* Larghezza: 12.83 mm (massimo)
* Modalità canale: miglioramento
* Pd - Dissipazione di potenza: 389 W
* Vgs - Tensione gate-source: 20 V
Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
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