FMUSER Original New MRF6VP2600H Transistor MOSFET transistor di potenza RF 500MHz 600W Transistor Broadband N-Channel laterale a banda larga-FMUSER Trasmettitore FM / TV fornitore one-stop

FMUSER Nuovo originale MRF6VP2600H Transistor di potenza RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Banda larga laterale a canale N Panoramica MRF6VP2600H è progettato principalmente per applicazioni a banda larga con frequenze fino a 500 MHz. Il dispositivo non ha eguali ed è adatto per l'uso in applicazioni di trasmissione. Caratteristiche * Prestazioni tipiche DVB-T OFDM: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt medi, f = 225 MHz, Larghezza di banda canale = 7.61 MHz, Segnale di ingresso PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabilità su CCDF. Guadagno di potenza: 25 dB Efficienza di drenaggio: 28.5% ACPR a 4 MHz Offset: -61 dBc a 4 kHz Larghezza di banda * Prestazioni pulsate tipiche: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watt di picco, f = 225 MHz, larghezza di impulso = 100

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FMUSER Originale Nuovo MRF6VP2600H Transistor di potenza RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Banda larga laterale a canale N

Panoramica

MRF6VP2600H è progettato principalmente per applicazioni a banda larga con frequenze fino a 500 MHz. Il dispositivo non ha eguali ed è adatto all'uso nelle applicazioni di trasmissione.

Caratteristiche

* Prestazioni DVB-T OFDM tipiche: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt medi, f = 225 MHz, Larghezza di banda canale = 7.61 MHz, Segnale di ingresso PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabilità su CCDF. : 25 dB Efficienza di drenaggio: 28.5% ACPR a 4 MHz Offset: –61 dBc a 4 kHz Larghezza di banda

* Prestazioni pulsate tipiche: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watt di picco, f = 225 MHz, durata dell'impulso = 100 µsec, ciclo di lavoro = 20% Guadagno di potenza: 25.3 dB Efficienza di drenaggio: 59%

* In grado di gestire 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watt Potenza di picco, durata dell'impulso = 100 μsec, Duty Cycle = 20%

* Caratterizzato con parametri di impedenza di segnale grande serie equivalenti

* Funzionalità di funzionamento in CW con raffreddamento adeguato

* Qualificato Fino a un massimo di 50 VDD Operazioni

* Integrato di protezione ESD

* Progettato per il funzionamento Push-Pull

* Gamma di tensione di gate negativa maggiore-sorgente per un miglior funzionamento della classe C.

* A norma RoHS

* In nastro e bobina. Suffisso R6 = 150 Unità per 56 mm, bobina 13 pollici.

Specificazione

Frequenza (Min) (MHz): 2

Frequenza (max) (MHz): 500

Tensione di alimentazione (tipo) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Potenza di uscita (Typ) (W) @ Livello di intermodulazione al segnale di test: 125.0 @ AVG

Segnale di test: OFDM

Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Efficienza (Typ) (%): 28.5

Resistenza termica (specifica) (℃ / W): 0.2

Abbinamento: impareggiabile

Classe: AB

Tecnologia die: LDMOS

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