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FMUSER Nuovo originale MRFE6VP61K25H Transistor di potenza RF Transistor MOSFET ad alta potenza LDMOS per trasmettitore FM 1000w
FMUSER NXP MRFE6VP61K25H Transistor RF LDMOS per trasmettitore 1000w FM
Dettagli
Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
250 | 1 | 30 | 280 | DHL |
FMUSER Nuovo originale MRFE6VP61K25H Transistor di potenza RF Transistor MOSFET ad alta potenza LDMOS Per trasmettitore FM 1000w
MRFE6VP61K25H: 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V Transistor LDMOS a larga banda RF Power
Panoramica:
Questi dispositivi ad elevata robustezza, MRFE6VP61K25H, MRFE6VP61K25HS e MRFE6VP61K25GS, sono progettati per l'uso in applicazioni industriali ad alto VSWR (inclusi eccitatori laser e plasma), broadcast (analogici e digitali), aerospaziali e radio / terrestri. Sono progetti di input e output ineguagliati che consentono l'utilizzo di un'ampia gamma di frequenze, tra 1.8 e 600 MHz.
Caratteristiche:
Ingresso e uscita ineguagliati che consentono l'utilizzo di un'ampia gamma di frequenze
Il dispositivo può essere utilizzato Single-Ended o in una configurazione Push-Pull
Qualificato fino a un massimo di 50 VDD Operation
Caratterizzato da 30 V a 50 V per gamma di potenza estesa
Adatto per applicazioni lineari con biasing appropriato
Protezione ESD integrata con maggiore range di tensione negativa tra gate e sorgente per un miglior funzionamento della classe C.
Caratterizzato con parametri di impedenza di segnale grande serie equivalenti
A norma RoHS
In Tape and Reel. Suffisso R6 = Unità 150, larghezza nastro 56 mm, bobina 13-pollici.
Questi prodotti sono inclusi nel nostro programma di longevità del prodotto con forniture garantite per un minimo di 15 anni dopo il lancio.
Il pacchetto include:
1* MRFE6VP61K25H RF Transistor
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