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FMUSER Nuovo originale MRFE6VP6300H Transistor di potenza RF Transistor MOSFET di potenza per trasmettitore FM 300w 350w
NXP Freescale MRFE6VP6300H Transistor MOFSET
Dettagli
| Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
| 169 | 1 | 27 | 196 | DHL |
FMUSER MRFE6VP6300H Transistor MOSFET di potenza transistor di potenza RF For 300w 350w FM Trasmettitore
MOSFET di potenza RF a banda larga a canale N laterale 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
Panoramica
MRFE6VP6300HR3 e MRFE6VP6300HSR3 sono dispositivi ad alta robustezza, progettati per l'uso in ambienti industriali ad alto VSWR (inclusi eccitatori laser e plasma), broadcast (analogici e digitali), aerospaziali e radio / terrestri. Sono progetti di input e output ineguagliati che consentono l'utilizzo di un'ampia gamma di frequenze, tra 1.8 e 600 MHz.
Caratteristiche:
Ingresso e uscita ineguagliati che consentono l'utilizzo di un'ampia gamma di frequenze
Il dispositivo può essere utilizzato Single-Ended o in una configurazione Push-Pull
Qualificato fino a un massimo di 50 VDD Operation
Caratterizzato da 30 V a 50 V per gamma di potenza estesa
Adatto per applicazioni lineari con biasing appropriato
Integrato di protezione ESD
Gamma di tensione di gate negativa maggiore-sorgente per un miglior funzionamento della classe C.
Caratterizzato con parametri di impedenza di segnale grande serie equivalenti
A norma RoHS
NI-780-4 in nastro e bobina. Suffisso R3 = Unità 250, larghezza nastro 56 mm, bobina 13 pollici.
NI-780S-4 in nastro e bobina. Suffisso R3 = Unità 250, larghezza nastro 32 mm, bobina 13 pollici.
Questi prodotti sono inclusi nel nostro programma di longevità del prodotto con fornitura assicurata per un minimo di 15 anni dopo il lancio.
Il pacchetto include:
1* MRFE6VP6300H Transistor RF
| Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
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