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FMUSER Nuovo originale BLF245 Transistor di potenza RF ad alta frequenza Transistor MOSFET ad alta potenza
Nuovo originale BLF245 Transistor di potenza RF ad alta frequenza ad alta frequenza MOSFET ad alta potenza Transistor D-MOS verticale in silicio con modalità di miglioramento del canale N progettato per applicazioni di amplificatori di segnale di grandi dimensioni nella gamma di frequenza VHF. Il transistor è incapsulato in una flangia SOT4A a 123 conduttori, con cappuccio in ceramica. Tutti i cavi sono isolati dalla flangia. Su richiesta sono disponibili gruppi VGS (Matched Gate-Source Voltage) Caratteristiche e vantaggi: Elevato guadagno di potenza Basso livello di rumorosità Facile controllo della potenza Buona stabilità termica Resiste a disallineamenti a pieno carico
Dettagli
| Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
| 69 | 1 | 0 | 69 | Posta aerea |
Nuovo originale BLF245 MOSFET ad alta frequenza ad alta frequenza del transistor di potenza RF del transistor
| Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
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