FMUSER 1 pz Nuovo Originale MRF6VP3450H Laterale N-Channel Broadband RF Potenza MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER Trasmissione FM / TV Fornitore One-Stop

FMUSER 1 pz Nuovo originale MRF6VP3450H Transistor MOSFET di potenza RF a banda larga laterale a canale N Descrizione: Progettato per applicazioni commerciali e industriali a banda larga con frequenze da 470 a 860 MHz. L'elevato guadagno e le prestazioni a banda larga di questi dispositivi li rendono ideali per applicazioni con amplificatori a sorgente comune e segnali di grandi dimensioni in apparecchiature di trasmissione televisiva analogica o digitale a 50 volt. - Prestazioni tipiche DVB - T OFDM: --VDD = 50 Volt, IDQ = 1400 mA, --Pout = 90 Watt medi, f = 860 MHz, modalità 8K, 64 QAM - Guadagno di potenza ： 22.5 dB - Efficienza di drenaggio ： 28% --ACPR a 4 MHz Offset —— 62 dBc a 4 kHz Larghezza di banda - Prestazioni tipiche a banda larga a due toni: --VDD = 50 Volt, IDQ = 1400 mA, --Po

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FMUSER 1 pz Nuovo originale MRF6VP3450H Transistor MOSFET di potenza RF a banda larga laterale a canale N

Descrizione:
Progettato per applicazioni commerciali e industriali a banda larga con frequenze da 470 a 860 MHz. L'alto guadagno e le prestazioni a banda larga di questi dispositivi li rendono ideali per applicazioni con amplificatori a sorgente comune e grandi segnali a 50 volt apparecchiature di trasmissione televisiva analogica o digitale.

--Prestazioni tipiche DVB - T OFDM:
--VDD = 50 Volt, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 90 Watt medi, f = 860 MHz, modalità 8K, 64 QAM
--Guadagno di potenza ： 22.5 dB
--Efficienza di drenaggio ： 28%
--Offset ACPR a 4 MHz —— Larghezza di banda di 62 dBc a 4 kHz

--Prestazioni tipiche a banda larga a due toni:
--VDD = 50 Volt, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 450 Watt PEP, f = 470-860 MHz
--Guadagno di potenza ： 22 dB
--Efficienza di drenaggio ： 44%
--IM3 ： -29 dBc

--In grado di gestire VSWR 10: 1, tutti gli angoli di fase, a 50 V CC, 860 MHz: 450 Watt CW
--90 Watt medi (DVB - Segnale T OFDM, 10 dB PAR, larghezza di banda del canale 7.61 MHz)

Caratteristiche:
--Caratterizzato con parametri di impedenza del segnale grande equivalente in serie
--Input abbinato internamente per facilità d'uso
--Qualificato fino a un massimo di 50 VDD Operation
--Integrato di protezione ESD
--Progettato per operazioni push-pull

--Gate negativo maggiore - Intervallo di tensione sorgente per un migliore funzionamento di classe C.

--A norma RoHS
--In nastro e bobina. Suffisso R6 = 150 Unità per 56 mm, bobina 13 pollici.
--Suffisso R5 = 50 unità per bobina da 56 mm, 13 pollici.

La confezione include:

1 * transistor MRF6VP3450HXNUMX