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FMUSER Nuovo originale RD30HVF1 Transistor di potenza al silicio RF Transistor MOSFET di potenza per trasmettitore FM CZE-T251 25w
Nuovo originale RD30HVF1 Transistor MOSFET di potenza a transistor di potenza RF al silicio per trasmettitore CZE-T251 25w DESCRIZIONE: RD30HVF1 è un transistor di tipo MOS FET specificamente progettato per applicazioni di amplificatori di potenza RF VHF. CARATTERISTICHE: * Elevato guadagno di potenza: * Pout> 30 W, Gp> 14.7 dB @ Vdd = 12.5 V, f = 175 MHz * Alta efficienza: 60% tip. APPLICAZIONE: Per lo stadio di uscita di amplificatori ad alta potenza nella banda VHF Apparecchi radio mobili. Il pacchetto include: 1 * RD30HVF1
Dettagli
| Prezzo (USD) | Qty (PCS) | Spedizione (USD) | Totale (USD) | metodo di spedizione | Pagamento |
| 41 | 1 | 8 | 49 | Trasporto di posta aerea |
Nuovo originale RD30HVF1 Transistor MOSFET di potenza del transistor di potenza RF al silicio per trasmettitore FM CZE-T251 25w
DESCRIZIONE:
RD30HVF1 è un transistor di tipo MOS FET specificamente progettato per RF VHF amplificatori di potenza applicazioni.
CARATTERISTICHE:
Guadagno * ad alta potenza:
* Pout> 30W, Gp> 14.7dB @ Vdd = 12.5V, f = 175MHz
* Alta efficienza: 60% tip.
APPLICAZIONE:
Per stadio di uscita di amplificatori ad alta potenza in banda VHF Apparecchi radio mobile.
Il pacchetto include:
1 * RD30HVF1
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